北京晶格领域半导体有限公司（以下简称“晶格领域”）近日获得了北京市政府投资基金的重点投资。这一重大利好将进一步加速公司在液相法碳化硅（SiC）衬底的研发和生产进程，助力其成为国内领先的第三代半导体材料供应商。
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碳化硅（SiC）因其优异的性能，成为电动汽车、光伏和轨道交通等领域的重要材料。特别是n沟道绝缘栅双极型晶体管（n-IGBT）因其高电压和低导通电阻性能，广泛应用于基于4H-SiC的器件。
2024年6月5日-7日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛盛大召开。
